| 主权项 |
1.一种制造矽单晶之方法,其包括制备一具有尖锐尖端的矽种晶,及由尖端将一部分的矽种晶熔化成一具有预定厚度的情况,接着执行颈缩作业以形成一锥形颈缩部和一颈部,随后在增加直径后拉伸单晶棒,其中该欲被熔化的部分系一来自于尖端的部分,其之厚度系为欲形成的颈部直径之1.1至2倍;然后执行该缩颈作业,方式为在其之早期阶段藉拉伸晶体使直径逐渐减少至5毫米或更大的最小直径,而形成圆锥形的锥形颈缩部,然后形成颈部;及,随后在直径增加后拉伸单晶棒。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该颈部的长度系5毫米或更大。3.如申请专利范围第1项之方法,其中在矽种晶的部分熔入熔体内后五分钟内,开始该颈缩。4.如申请专利范围第2项之方法,其中在矽种晶的部分熔入熔体内后五分钟内,开始该颈缩。图式简单说明:第一图系一说明图,显示本发明的一种方法,其中形成厚的颈部。第二图系一图表,显示种晶熔化后的保持时间与滑移差排密度之间的关系。 |
