| 主权项 |
1.一种多晶片封装构造(multichip module),其系包含:用以承载晶片之装置,其设有等电引线;第一晶片,设于该用以承载晶片之装置,该第一晶片具有复数个晶片焊垫设于其正面;第二晶片,位于该第一晶片上方,该第二晶片具有复数个晶片焊垫设于其正面;复数个导电凸块,其具有基部以及柱状突出部,该凸块以其基部接合于第一晶片之晶片焊垫,并且以其柱状突出部连接该第二晶片之底部以支撑该第二晶片;一胶层设于该第一晶片与第二晶片之间;复数条第一焊线,其一端以球接合方式(ballbonding)连接至该导电引线,其另一端以压印接合方式(stitch bonding)连接至第一晶片焊垫上导电凸块之基部;及复数条第二焊线,其连接该导电引线至第二晶片焊垫,其中该凸块之柱状突出部系有助于提供第一焊线所需之空隙(clearance)。2.依申请专利范围第1项之多晶片封装构造,其另包含一封胶体包覆该第一、第二晶片,该第一、第二焊线以及该用以承载晶片之装置的一部分。3.依申请专利范围第1项之多晶片封装构造,其中该第一焊线系弯曲而大致形成一直角。4.依申请专利范围第1项之多晶片封装构造,其中该胶层系为不导电胶。5.依申请专利范围第1项之多晶片封装构造,其中该第二焊线之一端以球接合方式连接至该导电引线,其另一端以压印接合方式连接至第二晶片上之晶片焊垫。6.依申请专利范围第1项之多晶片封装构造,其中该用以承载晶片之装置系为一基板或一导线架。7.一种多晶片封装构造(multichip module),其系包含:用以承载晶片之装置,其设有导电引线;第一晶片,设于该用以承载晶片之装置,该第一晶片具有复数个晶片焊垫设于其正面;第二晶片,位于该第一晶片上方,该第二晶片具有复数个晶片焊垫设于其正面;复数个导电突起设于该第一晶片之晶片焊垫;复数条第一焊线,其一端以球接合方式连接至该导电引线,其另一端以压印接合方式连接至第一晶片焊垫上之导电突起;复数个导电凸块,设于该第一焊线之压印接合端,并且连接至该第二晶片之底部以支撑该第二晶片;一胶层设于该第一晶片与第二晶片之间;及复数条第二焊线,其连接该导电引线至第二晶片焊垫,其中该导电凸块系有助于提供第一焊线所需之空隙。8.依申请专利范围第7项之多晶片封装构造,其另包含一封胶体包覆该第一、第二晶片,该第一、第二焊线以及该用以承载晶片之装置的一部分。9.依申请专利范围第7项之多晶片封装构造,其中该复数个导电凸块具有基部以及柱状突出部,该凸块以其基部接合于第一焊线之压印接合端,并且以其柱状突出部连接该第二晶片之底部。10.依申请专利范围第7项之多晶片封装构造,其中该第一焊线系弯曲而大致形成一直角。11.依申请专利范围第7项之多晶片封装构造,其中该胶层系为不导电胶。12.依申请专利范围第7项之多晶片封装构造,其中该第二焊线之一端以球接合方式连接至该导电引线,其另一端以压印接合方式连接至第二晶片上之晶片焊垫。13.依申请专利范围第7项之多晶片封装构造,其中该用以承载晶片之装置系为一基板或一导线架。14.一种多晶片封装构造制造方法,其包含下列步骤:固定第一晶片至一用以承载晶片之装置,该第一晶片具有复数个晶片焊垫设于其正面,该用以承载晶片之装置设有导电引线;形成复数个导电凸块,其具有基部以及柱状突出部,该凸块以其基部接合于第一晶片之晶片焊垫;以球接合方式连接复数条第一焊线之一端于该导电引线,以压印接合方式连接其另一端至第一晶片焊垫上导电凸块之基部;涂布一胶层于该第一晶片之正面;提供一第二晶片,其具有复数个晶片焊垫设于其正面;将第二晶片置入该胶层直到接触该第一晶片焊垫上导电凸块之柱状突出部;固化该胶层;及连接复数条第二焊线至该导电引线以及第二晶片上之晶片焊垫。15.依申请专利范围第14项之多晶片封装构造制造方法,其另包含包覆该第一、第二晶片,该第一、第二焊线以及该用以承载晶片之装置的一部分于一封胶体内之步骤。16.依申请专利范围第14项之多晶片封装构造制造方法,其中该第一焊线系弯曲而大致形成一直角。17.依申请专利范围第14项之多晶片封装构造制造方法,其中该胶层系为不导电胶。18.依申请专利范围第14项之多晶片封装构造制造方法,其中该第二焊线之一端以球接合方式连接至该导电引线,其另一端以压印接合方式连接至第二晶片上之晶片焊垫。19.依申请专利范围第14项之多晶片封装构造制造方法,其中该用以承载晶片之装置系为一基板或一导线架。20.一种多晶片封装构造制造方法,其包含下列步骤:固定第一晶片至一用以承载晶片之装置,该第一晶片具有复数个晶片焊垫设于其正面,该用以承载晶片之装置设有导电引线;形成复数个导电突起于该第一晶片之晶片焊垫;以球接合方式连接复数条第一焊线之一端至该导电引线,以压印接合方式连接其另一端至第一晶片焊垫上之导电突起;形成复数个导电凸块于该第一焊线之压印接合端;涂布一胶层于该第一晶片之正面;提供一第二晶片,其具有复数个晶片焊垫设于其正面;将第二晶片置入该胶层直到接触该导电凸块;固化该胶层;及连接复数条第二焊线至该导电引线以及第二晶片上之晶片焊垫。21.依申请专利范围第20项之多晶片封装构造制造方法,其另包含包覆该第一、第二晶片,该第一、第二焊线以及该用以承载晶片之装置的一部分于一封胶体内之步骤。22.依申请专利范围第20项之多晶片封装构造制造方法,其中该复数个导电凸块具有基部以及柱状突出部,该凸块以其基部接合于第一焊线之压印接合端,并且以其柱状突出部连接该第二晶片之底部。23.依申请专利范围第20项之多晶片封装构造制造方法,其中该第一焊线系弯曲而大致形成一直角。24.依申请专利范围第20项之多晶片封装构造制造方法,其中该胶层系为不导电胶。25.依申请专利范围第20项之多晶片封装构造制造方法,其中该第二焊线之一端以球接合方式连接至该导电引线,其另一端以压印接合方式连接至第二晶片上之晶片焊垫。26.依申请专利范围第20项之多晶片封装构造制造方法,其中该用以承载晶片之装置系为一基板或一导线架。图式简单说明:第一图:习知多晶片封装构造之剖面图;第二图:其系用以说明美国专利第5735030号揭示之打线方法;第三图:根据本发明第一较佳实施例之多晶片封装构造移除封胶体后之剖示图;第四图:根据本发明第二较佳实施例之多晶片封装构造移除封胶体后之剖示图;第五图至第七图:其系用以说明根据本发明第三图多晶片封装构造之制造方法;第八图至第十图:其系用以说明根据本发明第四图多晶片封装构造之制造方法;第十一图:其系为一放大立体图用以说明根据本发明之导电凸块,以及一焊线以一端压印接合于另一凸块;及第十二图:其系为一放大立体图用以说明根据美国专利第5735030号揭示之导电突起,以及一焊线以一端压印接合于另一突起。 |
