半導体装置およびその製造方法

摘要

半導体装置（１００）は、基板（１１）と、基板（１１）に支持され、結晶質シリコンを主として含む第１活性領域（１３ｃ）を有する第１薄膜トランジスタ（１０Ａ）と、基板（１１）に支持され、結晶質部分を有する酸化物半導体を主として含む第２活性領域（１７ｃ）を有する第２薄膜トランジスタ（１０Ｂ）とを備える。