发明名称 |
一种基于介孔氧化钇制备氧化钇陶瓷的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于介孔氧化钇制备氧化钇陶瓷的方法,包括:将介孔氧化钇装入模具中,在真空或者惰性气氛下,进行放电等离子烧结,冷却,研磨,抛光,得到氧化钇陶瓷。本发明的方法可以实现在较低温度下得到高致密的氧化钇陶瓷,而且这种技术具有升温速率快,烧结时间短等优点,是一种高效率、节能环保的制备技术;结合这种结构粉体和烧结技术,为低温烧结制备氧化钇陶瓷提供了良好的可行性和广泛的发展前景。 |
申请公布号 |
CN106588015A |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201611207849.1 |
申请日期 |
2016.12.23 |
申请人 |
东华大学 |
发明人 |
方海亮;王连军;顾士甲;周蓓莹;罗维;江莞 |
分类号 |
C04B35/505(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/505(2006.01)I |
代理机构 |
上海泰能知识产权代理事务所 31233 |
代理人 |
黄志达;魏峯 |
主权项 |
一种基于介孔氧化钇制备氧化钇陶瓷的方法,包括:将介孔氧化钇装入模具中,在真空或者惰性气氛下,进行放电等离子烧结,冷却,研磨,抛光,得到氧化钇陶瓷;其中,放电等离子烧结的温度为1050~1400℃,时间为3~30min,烧结压力为20~200Mpa;介孔氧化钇的制备方法为:将前驱体和表面活性剂溶于溶剂中,加入氨水,在空气湿度为30%~80%的条件下流延成膜,干燥,热处理,得到介孔氧化钇。 |
地址 |
201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号 |