一种浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，在浅沟槽中部分填充前一介质层之后，再利用光刻胶自对准保护浅沟槽内形成的前一介质层，刻蚀掉硬掩膜层上的多余前一介质层，减小后一介质层填充时的浅沟槽深宽比(aspect ratio)，极大的减少了填充空洞等缺陷，降低浅沟槽填充的工艺难度。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括浅沟槽刻蚀步骤以及光阻层和介质层交替填充步骤，所述浅沟槽刻蚀步骤包括：在一半导体衬底上形成具有浅沟槽图案的硬掩膜层，以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成浅沟槽；所述光阻层和介质层交替填充步骤至少包括一次介质层部分填充、光阻层填充以及介质层再填充组成的过程，其中，所述介质层部分填充包括：在所述浅沟槽中部分填充前一介质层，所述前一介质层在浅沟槽中的厚度低于所述浅沟槽的深度；所述光阻层填充包括：在部分填充有所述前一介质层的浅沟槽内填满光阻层，并去除硬掩膜层表面上的多余前一介质层；所述介质层再填充包括：去除所述光阻层，在所述浅沟槽中部分填充后一介质层，若所述后一介质层填满所述浅沟槽，则进行顶部化学机械平坦化以形成浅沟槽隔离结构；若所述后一介质层未填满所述浅沟槽，则继续光阻层填充和介质层再填充组成的过程，直至介质层再填充过程的介质层填满所述浅沟槽；在所述浅沟槽内填充光阻层之前或者去除所述浅沟槽内的光阻层之后，对所述浅沟槽内侧壁的前一介质层进行回拉刻蚀以增大所述浅沟槽的开口。