发明名称 半導体基板の製造方法、半導体基板、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子
摘要 本発明は、半導体基板の少なくとも一部に、ドナー元素を含むガラス粒子及び分散媒を含有するn型拡散層形成組成物、並びにアクセプター元素を含むガラス粒子及び分散媒を含有するp型拡散層形成組成物をそれぞれ異なる領域に付与する工程と、熱処理を行うことによりn型拡散層を形成し、且つ、p型拡散層を形成する工程と、を有する拡散層を有する半導体基板の製造方法を提供する。
申请公布号 JPWO2015093608(A1) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150553630 申请日期 2014.12.19
申请人 日立化成株式会社 发明人 織田 明博;吉田 誠人;野尻 剛;倉田 靖;芦沢 寅之助;町井 洋一;岩室 光則;佐藤 英一;清水 麻理;佐藤 鉄也
分类号 H01L21/225;H01L21/22;H01L31/068;H01L31/18 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
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