| 发明名称 | 一种形成绝缘体上鳍的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成绝缘体上鳍的方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍；以氧化物部分填充鳍之间的凹槽；在裸露的鳍上形成侧墙；进行氧化；去除侧墙以及鳍顶部的氧化层。本发明提供的方法采用现有半导体工艺，以简单可行的方式在普通衬底上制备出绝缘体上鳍，能有效解决现有技术中鳍与衬底之间的漏电流问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106531792A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201510572093.X | 申请日期 | 2015.09.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵治国;殷华湘;朱慧珑;赵超 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 洪余节;党丽 |
| 主权项 | 一种形成绝缘体上鳍的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍；以氧化物部分填充鳍之间的凹槽；在裸露的鳍上形成侧墙；进行氧化；去除侧墙以及鳍顶部的氧化层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||