任意の基板上での膜厚測定

摘要

本開示の実施形態は、反射率測定法を用いて、基板又はベース層上の下層パターンに関わらず、厚さなどの膜特性を測定することを可能にする。任意の波長における成膜中の膜に起因する位相シフトの量は、前記基板又はベース層とは独立したものであるためである。本方法の一実施形態は、時系列データから基板の特性を決定することを含む。本方法の別の実施形態は、光源のオンオフそれぞれの２つの連続した測定を行うことによって、測定データのプラズマバックグラウンドを除去することを含む。別の実施形態は、プラズママーカー又は光学特性の位相シフトをモニタすることにより、堆積開始時間を決定することを含む。【選択図】図１