| 发明名称 | 晶圆结构及其形成方法和喷淋装置 | ||
| 摘要 | 一种晶圆结构及其形成方法和喷淋装置，其中晶圆结构的形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆分为中心区域和外围区域；在所述晶圆的中心区域表面形成层间介电层；在所述晶圆的外围区域表面形成缓冲层；形成覆盖所述缓冲层和所述层间介电层的连接层。本发明通过在晶圆外围区域形成缓冲层，以减小连接层与晶圆之间的晶格失配，减小所形成连接层与晶圆之间的应力，减小外围区域形成连接层出现气泡或剥落等缺陷的可能，改善所形成半导体器件的性能，提高器件制造良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN106486340A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201510547844.2 | 申请日期 | 2015.08.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 盖靖锋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;吴敏 |
| 主权项 | 一种晶圆结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆分为中心区域和外围区域；在所述晶圆的中心区域表面形成层间介电层；在所述晶圆的外围区域表面形成缓冲层；形成覆盖所述缓冲层和所述层间介电层的连接层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||