半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的半导体装置具有：搭载于基板的半导体元件；以铝为主要成分、设置于半导体元件的电极焊盘；将设置于基板的连接端子和电极焊盘连接、以铜为主要成分的铜线；和封装半导体元件和铜线的封装树脂。该半导体装置在大气中以200℃加热16小时时，在铜线与电极焊盘的接合部形成有含有选自钯和铂中的任意的金属的阻挡层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：搭载于基板的半导体元件；以铝为主要成分、设置于所述半导体元件的电极焊盘；将设置于所述基板的连接端子和所述电极焊盘连接、以铜为主要成分的铜线；和封装所述半导体元件和所述铜线的封装树脂，所述封装树脂的175℃的弹性模量为500MPa以上15000MPa以下，在大气中以200℃加热16小时时，在所述铜线与所述电极焊盘的接合部形成有含有选自钯和铂中的任意的金属的阻挡层；所述封装树脂是使环氧树脂组合物固化而得到的固化物，所述环氧树脂组合物使用含有选自下述式(1)所示的环氧树脂、下述式(2)所示的环氧树脂和下述式(3)所示的环氧树脂中的至少一种作为环氧树脂(A)的环氧树脂组合物，式(1)中，Ar¹表示亚苯基或亚萘基，在Ar¹为亚萘基时，缩水甘油醚基可以与α位、β位中的任意位置结合，Ar²表示亚苯基、亚联苯基和亚萘基中的任一个基团，R⁵和R⁶分别独立地表示碳原子数1～10的烃基，g为0～5的整数，h为0～8的整数，n³表示聚合度，其平均值为1～3，式(2)中，存在的多个R⁹分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烃基，n⁵表示聚合度，其平均值为0～4，式(3)中，存在的多个R¹⁰和R¹¹分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烃基，n⁶表示聚合度，其平均值为0～4。