存储器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器及其制作方法，该存储器元件包括第一绝缘层、第二绝缘层、隔离层、浮置栅电极、控制栅电极、通道层以及隧穿氧化层。第二绝缘层邻接第一绝缘层，且与第一绝缘层平行，并与第一绝缘层定义出层间空间。隔离层位于层间空间之中，并且与第一绝缘层夹一个非平角，而将层间空间区隔离成第一凹室和第二凹室。浮置栅电极位于第一凹室之中。控制栅电极位于第二凹室之中。通道层位于第一凹室的开口外侧，且与第一绝缘层夹一个非平角。隧穿氧化层位于通道层和浮置栅电极之间。

主权项

一种存储器元件，包括：一第一绝缘层；一第二绝缘层，邻接该第一绝缘层，且与该第一绝缘层平行，并与该第一绝缘层定义出一第一层间空间(interlayer space)；一第一隔离层，位于该第一层间空间之中，并且与该第一绝缘层夹一非平角，而将该第一层间空间区隔离成一第一凹室和一第二凹室；一第一浮置栅电极(floating gate electrode)，位于该第一凹室之中；一第一控制栅电极，位于该第二凹室之中；一通道层，位于该第一凹室的一第一开口外侧，且与该第一绝缘层夹一非平角；以及一隧穿氧化层(tunneling oxide layer)，位于该通道层和该第一浮置栅电极之间。