发明名称 PLASMA PROCESSING APPARATUS
摘要 (과제) 시료대 상의 히터로 급전하는 경로에서의 발열을 억제한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. (해결 수단) 진공 용기 내부의 처리실 내의 하부에 배치된 처리 대상의 시료가 놓여져 유지되는 시료대가, 고주파 전원으로부터의 고주파 전력이 공급되는 금속제의 전극 블록과, 그 상면 상에 배치되어 그 내부에 전력이 공급되어 발열하는 막 형상의 히터가 배치된 유전체제의 발열층과, 이 막의 상방을 덮어 배치되는 도전체제의 층과, 상기 발열층의 외주측에서 이것을 둘러싸서 배치되어 상기 도전체제의 층과 전극 블록에 접하여 이들을 도통하는 링 형상의 도전층과, 상기 도전체제의 층의 상방에서 이것을 덮어 배치되어 시료를 정전 흡착하는 정전 흡착층을 구비하고, 상기 도전체제의 층 및 상기 링 형상의 도전층이 상기 고주파 전력의 전류의 표피 깊이보다 큰 치수를 구비하고, 상기 시료의 처리 중에 상기 전극 블록이 소정의 전위로 유지되는 플라즈마 처리 장치.
申请公布号 KR20170012106(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 KR20160092735 申请日期 2016.07.21
申请人 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 发明人 단도 다쿠미;요코가와 겐에츠
分类号 H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 主分类号 H01J37/32
代理机构 代理人
主权项
地址