发明名称 一种芯片测试模式和调试模式的保护方法
摘要 本发明涉及一种芯片测试模式和调试模式的保护方法,包括如下步骤:芯片上电,第一级复位释放。上电控制逻辑自动从非易失存储体读取数据a和b。测试模式控制单元判断是否需要对测试模式关闭。调试模式控制单元判断是否需要对调试模式关闭。第二级复位释放之后,芯片进入或限制相应的工作模式。芯片通过存储体保护单元对非易失存储体写相应的值进行测试模式或则调试模式保护。本发明的有益效果是:芯片带有测试模式和调试模式,能够永久性关闭测试模式和调试模式。芯片内嵌一个非易失存储体,可以保护数据不被随意更改,关闭测试模式和调试模式通过对非易失存储体相应地址写特定数据;芯片有两级复位配合相关电路自动判断是否需要进入测试模式。
申请公布号 CN103593626B 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201310556954.6 申请日期 2013.11.11
申请人 杭州晟元数据安全技术股份有限公司 发明人 李兆亮;钱志恒;徐功益
分类号 G06F21/70(2013.01)I;G06F21/78(2013.01)I 主分类号 G06F21/70(2013.01)I
代理机构 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 代理人 赵芳
主权项 一种芯片测试模式和调试模式的保护方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:Ⅰ、芯片上电复位后进行第一级复位释放,上电控制逻辑(8)会从非易失存储体(7)的两个固定的地址读取两个32位数据a和b,然后分别将数据a交给测试模式控制单元(1),数据b交给调试模式控制单元(2);测试模式控制单元(1)在收到数据a后与内部一个固定的32位数据比较,如果不相同,再检测芯片外部管脚(4)的测试使能管脚,如果该测试使能管脚是高电平,那么对一个寄存器test_en_reg置“1”;数据a如果和内部固定的32位数据相同,不管芯片外部管脚(4)中的测试使能管脚是否高电平,都无法进入测试模式;在芯片生产测试完成后,对非易失存储体(7)相应的地址写入特定值,就能够永久关闭芯片测试模式;Ⅱ、调试模式控制单元(2)在收到数据b后与内部一个固定的32位数据比较,如果相同,那么对一个寄存器jtag_lock_reg置“1”,就关闭调试模式;用户利用调试口开发完应用软件后,在非易失存储体(7)相应的地址写入特定值,就能够永久关闭调试模式;Ⅲ、第二级复位释放后,芯片正常功能单元(6)首先检测在测试模式控制单元(1)的判断结果寄存器test_en_reg,如果为“1”,就直接进入测试模式,如果是“0”,进入正常工作,同时检测在调试模式控制单元(2)的判断结果寄存器jtag_lock_reg,如果是“1”,就关闭调试模式;其中,判断结果寄存器test_en_reg在上电后默认为“0”。
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