| 发明名称 | 一种采用纳米银焊膏的烧结式IGBT模块及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种采用纳米银焊膏的烧结式IGBT模块及制备方法。包括由发射极和集电极构成的两个圆形板状金属电极和圆筒状陶瓷管壳、发射极板壳上IGBT凸台、续流二极管凸台，以及分别安装在IGBT凸台上IGBT单芯片焊接子模组、续流二极管凸台上的续流二极管的单芯片焊接子模组所构成；单芯片焊接子模组中，下钼基板和IGBT、续流二极管是以纳米银焊膏作为热界面材料，通过低温烧结进行的连接。本发明中采用纳米银焊膏作为芯片的连接材料，由于银的熔点为961℃，非常适宜封装宽禁带半导体器件并发挥其高允许工作结温的优势，而且烧结的纳米银结构是一种多孔结构，弹性模量低，韧性好，大大提高了接头的热机械性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106373954A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610898201.7 | 申请日期 | 2016.10.14 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 梅云辉;冯晶晶;李欣;陆国权 |
| 分类号 | H01L25/16(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 王丽 |
| 主权项 | 一种采用纳米银焊膏的烧结式IGBT模块，包括由发射极和集电极构成的两个圆形板状金属电极和圆筒状陶瓷管壳、发射极板壳上IGBT凸台、续流二极管凸台，以及分别安装在IGBT凸台上IGBT单芯片焊接子模组、续流二极管凸台上的续流二极管的单芯片焊接子模组所构成；其特征是单芯片焊接子模组中，下钼基板和IGBT、续流二极管是以纳米银焊膏作为热界面材料，通过低温烧结进行的连接。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学 | ||