LED芯片的制备方法及LED芯片

摘要

本发明提供一种LED芯片的制备方法及LED芯片。本发明提供的方法，包括：在半导体晶片的衬底上生长N型半导体层、发光层和P型半导体层，以形成外延层；去除部分P型半导体层和部分发光层，露出部分N型半导体层；在P型半导体层的表面形成透明导电层；进而形成金属电极；在晶片的表面形成保护层；对晶片的背面进行减薄，并在晶片背面形成保护层；在晶片的切割道位置分别进行正反两面切割；对切割后的晶片进行湿法高温腐蚀，以在LED芯片的侧壁形成多边形形貌。本发明提供的方法解决了现有技术制备的LED芯片，由于出射光会在芯片侧壁形成全反射，从而影响了LED芯片的亮度的问题。

主权项

一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：在半导体晶片的衬底上依次生长缓冲层、本征半导体层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，以形成发光外延层；去除部分P型半导体层和部分发光层，露出部分N型半导体层；在所述P型半导体层的表面依次形成电流阻挡层和透明导电层，所述电流阻挡层和所述透明导电层覆盖所述P型半导体层；在所述透明导电层和所述N型半导体层上形成金属电极，所述金属电极包括设置于所述透明导电层上的P电极和设置于所述N型半导体层上的N电极；在所述半导体晶片的表面形成保护层；对所述半导体晶片的背面进行减薄，并在所述减薄后的半导体晶片背面形成背面保护层；在所述半导体晶片的切割道位置分别进行正面切割和背面切割，使得所述半导体晶片中每个LED芯片的部分侧壁裸露；沿所述半导体晶片的切割道在所述半导体晶片的正面进行激光切割，所述正面切割的深度在5～15um之间；沿所述半导体晶片的切割道在所述半导体晶片的背面进行激光切割，所述背面切割的深度在5～15um之间；其中，所述正面切割和所述背面切割的切割面在竖直方向上位于同一位置，所述正面切割和背面切割的切割深度之和在20～35um之间；对所述切割后的半导体晶片进行湿法高温腐蚀，以在所述LED芯片的侧壁形成多边形形貌。