发明名称 一种用于NANDFLASH生产阶段的烧写方法及其烧写系统
摘要 本发明涉及PC领域,特别涉及一种用于NANDFLASH生产阶段的烧写方法。包括以下步骤:S1:PC端烧片程序发送终端烧片程序到终端的NANDFLASH中;S2:所述终端烧片程序检测NANDFLASH中的坏块分布,发送所述坏块分布到PC端烧片程序;S3:PC端烧片程序根据收到的坏块分布和预置的第一分区表,所述第一分区表描述每个分区实际需要使用的区域大小;算出每个分区实际占用的区域大小,从而生成用于这个分区的第二分区表;S4:PC端烧片程序根据第二分区表依次在终端的NANDFLASH中烧写入每个分区的镜像。既保证了生产质量,又提高了存储空间利用率,控制了成本。
申请公布号 CN106339246A 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201610785837.0 申请日期 2016.08.31
申请人 福建联迪商用设备有限公司 发明人 吴旋
分类号 G06F9/445(2006.01)I;G11C29/04(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I 主分类号 G06F9/445(2006.01)I
代理机构 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人 林志峥
主权项 一种用于NANDFLASH生产阶段的烧写方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:PC端烧片程序发送终端烧片程序到终端的NANDFLASH中;S2:所述终端烧片程序检测NANDFLASH中的坏块分布,发送所述坏块分布到PC端烧片程序;S3:PC端烧片程序根据收到的坏块分布和预置的第一分区表,所述第一分区表描述每个分区实际需要使用的区域大小;算出每个分区实际占用的区域大小,从而生成用于这个分区的第二分区表;S4:PC端烧片程序根据第二分区表依次在终端的NANDFLASH中烧写入每个分区的镜像。
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