发明名称 Si-C Si-C MANUFACTURING DEVICE OF Si-C USING PLASMA SOURCE AND MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
摘要 플라즈마를 이용한 실리콘-탄소(Si-C) 복합체를 제조하는 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 실리콘 나노 입자를 형성하고, 실리콘 나노 입자와 탄소를 복합화하는 Si-C 복합체 제조장치 및 제조방법에 관하여 개시한다.본 발명은 반응 공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 반응챔버의 상측에 구비되며, 플라즈마를 발생시켜 실리콘 전구체를 분해하여 Si 입자를 생성하는 플라즈마 토치부; 상기 반응챔버 내부에 구비되며, 상기 반응챔버 내부로 공급되는 Si 입자를 냉각하는 냉각부; 및 상기 반응챔버 내부로 탄소구조체를 공급하는 탄소체 공급부;를 포함하고, 상기 반응챔버 내부에서 상기 Si 입자와 상기 탄소구조체가 복합화되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 Si-C 복합체 제조장치를 제공한다.
申请公布号 KR101692443(B1) 申请公布日期 2017.01.04
申请号 KR20140090084 申请日期 2014.07.16
申请人 한국에너지기술연구원 发明人 장보윤;구정분;김준수;이진석
分类号 B01J19/08 主分类号 B01J19/08
代理机构 代理人
主权项
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