发明名称 破碎壁与轧臼壁及其制备方法
摘要 本发明的目的在于提供一种破碎壁与轧臼壁,在其结合的锥形工作表面具有一种碳化物涂层,并且提供一种用于获得上述破碎壁与轧臼壁的制备方法。所述碳化物涂层,包括V<sub>2</sub>C致密陶瓷层,还可进一步包括微米V<sub>8</sub>C<sub>7</sub>致密陶瓷层及V<sub>8</sub>C<sub>7</sub>与基体的融合层。所述V<sub>2</sub>C致密陶瓷层、微米V<sub>8</sub>C<sub>7</sub>致密陶瓷层及V<sub>8</sub>C<sub>7</sub>与基体的融合层依次呈梯度分布。所述涂层与基体之间为冶金结合,结合力很强,克服了现有硬质颗粒与金属基体间非冶金结合,结合力很弱,颗粒容易脱落的问题,大幅度提高了破碎壁与轧臼壁之间破碎腔表面的耐磨性能。
申请公布号 CN104525859B 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201410657866.X 申请日期 2014.11.18
申请人 西安理工大学 发明人 许云华;叶芳霞;燕映霖;梁淑华;钟黎声;赵娜娜;王娟;邹军涛;肖鹏
分类号 B22C9/04(2006.01)I;B22D18/06(2006.01)I;B22D19/00(2006.01)I;C23C8/64(2006.01)I;B23P15/00(2006.01)I;B02C2/00(2006.01)I 主分类号 B22C9/04(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 李娜
主权项 一种破碎壁与轧臼壁,在其之间的破碎腔表面具有耐磨涂层,其特征在于:所述耐磨涂层为V<sub>2</sub>C致密陶瓷层,其中,所述V<sub>2</sub>C致密陶瓷层为准单晶相,所述准单晶相是指,介于多晶相与单晶相之间,相较于多晶相,晶向一致性高、晶界减少,并且原子排列比较有序的显微组织;沿V<sub>2</sub>C致密陶瓷层纵向剖面,其厚度为9‑23μm;其中V<sub>2</sub>C的体积分数大于80%;V<sub>2</sub>C晶粒尺寸为20‑50μm。
地址 710048 陕西省西安市金花南路5号
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