一种改善GaN晶体质量的LED外延结构

摘要

一种改善GaN晶体质量的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、GaN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、InGaN阱层、GaN垒层、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述U型GaN层从下至上包括U1型GaN层和U2型GaN层。所述U2型GaN层包括交替生长的2D型GaN层和3D型GaN层。同现有技术相比，本发明能有效减小自发极化和压电极化，提高辐射复合几率，从而达到增强LED出光效率的目的。

主权项

一种改善GaN晶体质量的LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、GaN缓冲层（2）、U型GaN层、N型GaN层（4）、InGaN阱层（5）、GaN垒层（6）、电子阻挡层（7）和P型GaN层（8），其特征在于：所述U型GaN层从下至上包括U1型GaN层（3）和U2型GaN层（40），所述U2型GaN层（40）包括交替生长的2D型GaN层（401）和3D 型GaN层（402）。