| 发明名称 | Si基Ge混合型波导光电探测器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种Si基Ge混合型波导光电探测器，包括波导和锗探测器；所述的波导与锗探测器耦合；所述的波导采用大截面SOI脊型波导，锗探测器采用PIN结构。由于本实用新型采用大截面的SOI脊型波导，以减少光纤和波导的耦合损耗，入射光既能通过端面直接耦合到Ge器件，又能通过垂直耦合从SOI波导耦合到Ge，以提高耦合效率，锗探测器采用PIN结构，在硅层以及锗层的顶端有不同性质的参杂，以形成一个垂直的P‑I‑N结。 | ||
| 申请公布号 | CN205723580U | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201620411546.0 | 申请日期 | 2016.05.09 |
| 申请人 | 厦门市计量检定测试院;厦门大学 | 发明人 | 阮育娇;康品春;郑伟峰;陈松岩;刘翰辉;李成 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0288(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人 | 朱凌 |
| 主权项 | 一种Si基Ge混合型波导光电探测器，包括波导和锗探测器；所述的波导与锗探测器耦合；其特征在于：所述的波导采用大截面SOI脊型波导，锗探测器采用PIN结构。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市思明区湖滨南路170号四楼 | ||