| 摘要 |
본 발명은 2개의 터널 전계 효과 트랜지스터를 전기적으로 접속한 회로의 형성에 필요한 면적 및 비용을 감소시키고, 또한, 기생 용량·기생 저항도 감소시킨다. 터널 전계 효과 트랜지스터에 의한 집적회로는, 제 1 P형 영역 및 제 1 N형 영역 중 한쪽이 소스 영역, 다른쪽이 드레인 영역으로서 동작하는 제 1 터널 전계 효과 트랜지스터와, 제 2 P형 영역 및 제 2 N형 영역 중 한쪽이 소스 영역, 다른쪽이 드레인 영역으로서 동작하는 제 2 터널 전계 효과 트랜지스터가, 동일 극성으로 하나의 활성 영역에 형성되는 동시에 상기 제 1 P형 영역과 상기 제 2 N형 영역이 인접하도록 형성되고, 인접하는 상기 제 1 P형 영역과 상기 제 2 N형 영역이 금속 반도체 합금막에 의해 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 한다. |
