发明名称 一种宽带毫米波天线阵
摘要 本发明公开了一种宽带毫米波天线阵,包括第一、二辐射单元,激励端口,第一、二转换器,不对称T型功率分配器,Y型功率分配器,第一、二、三金属过孔,感性窗口;第一、二辐射单元印制在基板正面,激励端口蚀刻在基板背面;第一转换器位于50欧姆共面波导传输线的后面;第二转换器位于第一辐射单元前面;不对称T型功率分配器位于第一转换器后面;第一金属过孔在馈电处和第一转换器两端形成有两排过孔;第二金属过孔位于不对称T型功率分配器后面;第三金属过孔位于第二金属过孔后面;Y型功率分配器在第三金属过孔后面;感性窗口位于Y型功率分配器后面。本发明结构紧凑、尺寸小、特性好,同时实现了宽带宽、高增益等问题。
申请公布号 CN106099353A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610630537.5 申请日期 2016.08.03
申请人 华南理工大学 发明人 褚庆昕;翁佳钿
分类号 H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/50(2006.01)I 主分类号 H01Q1/38(2006.01)I
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人 罗观祥
主权项 一种宽带毫米波天线阵,其特征在于:包括有两个不同的辐射单元,分别为第一辐射单元和第二辐射单元,以及激励端口、第一转换器、第二转换器、不对称T型功率分配器、Y型功率分配器、第一金属过孔、第二金属过孔、第三金属过孔、感性窗口;所述第一辐射单元和第二辐射单元印制在基板的正面,该第一辐射单元、第二辐射单元为矩形贴片单元,该第二辐射单元置于第一辐射单元辐射边的两侧;所述激励端口由50欧姆的共面波导直接馈电,蚀刻在基板的背面;所述第一转换器为共面波导到基片集成波导的转化结构,位于50欧姆共面波导传输线的后面;所述第二转换器为基片集成波导到微带的转化结构,位于第一辐射单元的前面;所述不对称T型功率分配器位于第一转换器后面,能将功率等分到两个输出端,但输出端之间有相位差;所述第一金属过孔在馈电处和第一转换器两端形成有两排过孔,用于抑制馈电处表面波的产生;所述第二金属过孔位于不对称T型功率分配器后面,形成两排过孔,用于产生相位差;所述第三金属过孔位于第二金属过孔后面,形成两排过孔,用于引导和传输能量;所述Y型功率分配器在第三金属过孔后面,能将功率等分到两个输出端;所述感性窗口位于Y型功率分配器后面,在第三金属过孔的基础上,加入了四个金属过孔,位于外排过孔的内部,用于阻抗匹配。
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