| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 具备薄膜晶体管(10a)的半导体装置(100a)具备：在基板(60)上形成的栅极电极(62)；在栅极电极上形成的栅极绝缘层(66)；在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(68)；分别与氧化物半导体层电连接的源极电极(70s)和漏极电极(70d)；在氧化物半导体层、源极电极和漏极电极上形成的保护层(72)；在保护层上形成的氧供给层(74)；在氧供给层上形成的扩散防止层(78)；和在扩散防止层上形成的由非晶透明氧化物形成的透明电极(81)。 | ||
| 申请公布号 | CN103988288B | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201280058807.X | 申请日期 | 2012.12.03 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 松木园广志 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其为具备薄膜晶体管的半导体装置，其特征在于，具备：在基板上形成的栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；分别与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；在所述氧化物半导体层、所述源极电极和所述漏极电极上形成的保护层；在所述保护层上形成的氧供给层；在所述氧供给层上形成的扩散防止层；和在所述扩散防止层上形成的由非晶透明氧化物形成的透明电极，所述扩散防止层是由结晶性透明氧化物形成的其它透明电极。 | ||
| 地址 | 日本，大阪府 | ||