发明名称 Reduzierung von Leckstrom in 3D-NAND-Speichern
摘要 Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind auf Verfahren und Konfigurationen zur Bereitstellung einer Vorrichtung gerichtet, welche ein Speicherarray umfasst, für das Vorspannung bereitgestellt wird, um Leckstrom zu reduzieren. In einer Ausführungsform kann die Vorrichtung ein dreidimensionales (3D) Speicherarray mit mindestens einem ersten und einem zweiten Block umfassen sowie eine Schaltung, welche mit dem 3D-Speicherarray gekoppelt ist, um auf das 3D-Speicherarray zuzugreifen. Die Schaltung kann einen Schaltkreis beinhalten, um den ersten Block zu deselektieren und den zweiten Block auszuwählen und eine erste Vorspannung an den deselektierten ersten Block und eine zweite Vorspannung an den ausgewählten zweiten Block zu liefern, um den Leckstrom in dem 3D-Speicherarray zu reduzieren. Die erste Vorspannung kann sich von der zweiten Vorspannung unterscheiden. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.
申请公布号 DE102016103106(A1) 申请公布日期 2016.09.29
申请号 DE201610103106 申请日期 2016.02.23
申请人 Intel Corporation 发明人 Tanzawa, Toru;Goda, Akira;Yamada, Shigekazu;Sanda, Hiroyuki
分类号 G11C16/02 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
地址