| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件，包括：垂直沟道层，其形成在半导体衬底之上；第一层叠导电层，其以预定间隔层叠在半导体衬底上以围绕垂直沟道层的一侧表面；第二层叠导电层，其以预定间隔层叠在半导体衬底上以围绕垂直沟道层的另一侧表面；第一电荷储存层，其布置在垂直沟道层与第一层叠导电层之间；以及第二电荷储存层，其布置在垂直沟道层与第二层叠导电层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN105938836A | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201510520651.8 | 申请日期 | 2015.08.21 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 郑盛旭 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：垂直沟道层，其形成在半导体衬底之上并且在第一方向上延伸；第一导电层叠，其在第一方向上延伸，形成在半导体衬底之上，以及围绕垂直沟道层的第一侧表面；第二导电层叠，其在第一方向上延伸，形成在半导体衬底之上，以及围绕垂直沟道层的第二侧表面；第一电荷储存层，其布置在垂直沟道层与第一导电层叠之间；以及第二电荷储存层，其布置在垂直沟道层与第二导电层叠之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||