膜厚测定方法

摘要

本发明涉及一种对形成于半导体基板的多层的外延层的膜厚进行测定的膜厚测定方法，对于在半导体基板(21)上，将与该半导体基板之间不存在实部折射率差的第1及第2外延层(22、23)按该顺序依次层叠而成的测定对象(20)，进行使用傅里叶变换红外分光光度计的反射干涉解析，并将第1外延层的厚度用作拟合参数，以使得所得到的反射干涉图案中因声子吸收而产生的折射率的异常分散区域附近的波数区域中出现的包含失真的干涉波形、与数值计算反射干涉图案中相同波数区域中的干涉波形之间没有偏差，此外，将在对数值计算反射干涉图案进行拟合时设定的第1外延层的厚度作为第1外延层的厚度的实际测量值。

主权项

一种膜厚测定方法，是通过使用傅里叶变换红外分光光度计的反射干涉解析来测定膜厚的膜厚测定方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(a)，在步骤(a)中，准备在半导体基板上、将与半导体基板之间不存在实部折射率差的第1及第2外延层按该顺序依次层叠而成的测定对象，使用所述傅里叶变换红外分光光度计，测量出所述测定对象的干涉图、并测量出所述半导体基板的干涉图而得到参考的干涉图；步骤(b)，在步骤(b)中，通过分别对所述测定对象的干涉图和所述参考的干涉图实施傅里叶变换来计算出测定对象的反射谱以及参考的反射谱；步骤(c)，在步骤(c)中，通过将所述测定对象的反射谱的强度除以所述参考的反射谱的强度来计算出反射干涉图案；以及步骤(d)，在步骤(d)中，将通过基于所述测定对象的结构的数值计算而得到的数值计算反射干涉图案拟合成所述反射干涉图案，在所述步骤(d)中，将所述第1外延层的厚度用作拟合参数，以使得所述反射干涉图案中因声子吸收而产生的折射率的异常分散区域附近的波数区域中出现的包含失真的干涉波形、与所述数值计算反射干涉图案中相同波数区域中的干涉波形之间没有偏差，将在对所述数值计算反射干涉图案进行拟合时设定的所述第1外延层的厚度作为所述第1外延层的厚度的实际测量值。