| 摘要 |
본 발명의 과제는 탄소 농도가 높은 막을 형성하는 것이다. 처리실 내의 기판에 대해, 제1 원소와 탄소의 화학 결합을 갖는 원료 가스가 열분해됨과 함께, 원료 가스에 포함되는 제1 원소와 탄소의 화학 결합의 적어도 일부가 절단되지 않고 유지되는 조건 하에서, 원료 가스를 공급하고, 원료 가스를 처리실 내에 봉입함으로써, 1원자층을 초과하고 수원자층 이하의 두께의 제1 원소 및 탄소를 포함하는 제1 고체층을 형성하는 공정과, 처리실 내의 원료 가스를 배기계로부터 배기하는 공정과, 처리실 내의 기판에 대해, 제2 원소를 포함하는 반응 가스를 공급하여, 제1 고체층을 개질하여, 제2 고체층을 형성하는 공정과, 처리실 내의 반응 가스를 배기계로부터 배기하는 공정을 비동시에 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 기판 상에, 제1 원소, 제2 원소 및 탄소를 포함하는 막을 형성한다. |
