| 摘要 |
非挥发性记忆体装置，其具有一第一导电性类型之一半导体基材。一非挥发性记忆体单元阵列以复数列及行配置于该半导体基材中。各记忆体单元包含在该半导体基材之一表面上的一第二导电性类型之一第一区域，及在该半导体基材之该表面上的该第二导电性类型之一第二区域。该第一区域与该第二区域间有一通道区域。一字线上覆该通道区域之一第一部分且与其绝缘，且相邻于该第一区域且与该第一区域具有很少或无重叠。一浮闸上覆该通道区域之一第二部分、相邻于该第一部分且与其绝缘，且相邻于该第二区域。一耦合闸上覆该浮闸。一位元线经连接至该第一区域。一负电荷泵电路产生一第一负电压。一控制电路接收一命令信号并回应于此而产生复数个控制信号，且施加该第一负电压至经取消选取记忆体单元的字线。在程式化、读取或抹除操作期间，可将一负电压施加至该等经取消选取记忆体单元之该等字线。
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