| 发明名称 |
用雷射形成虚拟锗基板的方法 |
| 摘要 |
露提供一种制造半导体装置的方法。再者，本揭露提供根据该发明制造的一光伏打装置与一发光二极体。该方法包含使用相容于高体积、低成本制造的沈积技术来形成一锗层之该等步骤，譬如磁控溅镀以及暴露该锗层于雷射光，以减少在该锗层中的该缺陷数目。在施行该方法以后，该锗层可被使用当作用于Ⅲ-V族材料生长的一虚拟锗基板。
|
| 申请公布号 |
TW201618158 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW104129315 |
申请日期 |
2015.09.04 |
| 申请人 |
新南创新私人有限公司 |
发明人 |
格林 马丁;郝 晓静;何 颖儿;李蔚;刘紫恒 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L21/18(2006.01);H01L21/322(2006.01);C23C14/35(2006.01);H01L31/042(2014.01);H01L33/10(2010.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林秋琴;陈彦希;何爱文 |
| 主权项 |
一种制造半导体装置的方法，其包含下列步骤：提供一基板；将一锗层形成于该基板上，该锗层具有晶格缺陷的一浓度；将该锗层的一区域暴露到雷射光；以及将至少一半导体装置形成在该锗层之该暴露区域的一表面部份上；其中将该锗层的该区域暴露到雷射光的该步骤系以使得在该表面部份上之晶格缺陷的该浓度能够减少的一方式来实行。
|
| 地址 |
澳大利亚 |
