| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部侧壁；在高于隔离层的鳍部表面形成外延层；对所述外延层进行化学干法刻蚀，使所述外延层表面的粗糙度下降。上述方法可以提高外延层表面的平整度，提高以此为基础形成的鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105576024A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410546261.3 | 申请日期 | 2014.10.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;张璇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部侧壁；在高于隔离层的鳍部表面形成外延层；对所述外延层进行化学干法刻蚀，使所述外延层表面的粗糙度下降。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||