| 发明名称 | 掺杂硅片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造光伏电池的硅片的掺杂方法，该方法包括如下步骤，所述步骤在于：-对硅片的表面(10)的至少一个第一部分(11)实施第一掺杂，-在部分掺杂的表面(10)上形成氧化物层(40)，-穿过该氧化物层(40)实施第二掺杂，以掺杂硅片的表面(10)的另外部分(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN105580110A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201480017013.8 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 离子射线服务公司 | 发明人 | B·贝克维特;J·乔丹 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 张力更 |
| 主权项 | 用于制造光伏电池的硅片的掺杂方法，该方法包括如下步骤，所述步骤在于：‑对硅片的表面(10)的至少一个第一部分(11)实施第一掺杂，‑在部分掺杂的表面(10)上形成氧化物层(40)，‑穿过该氧化物层(40)实施第二掺杂，以掺杂硅片的表面(10)的另外部分(12)。 | ||
| 地址 | 法国佩尼耶 | ||