发光元件及其制作方法

摘要

明是提供一种发光元件及其制作方法，该发光元件含括：一基板；一U型氮化镓层(U-GaN)，位于所述基板上；一N型氮化镓层(N-GaN)，位于所述U型氮化镓层(U-GaN)上；多层量子井(MQWS)，位于所述N型氮化镓层(N-GaN)上方；P型氮化镓层((P-GaN)，位于所述多层量子井(MQWS)上方，再依序结合透明导电层及反射层，再藉绝缘层将透明导电层及反射层、P型氮化镓层(P-GaN)、多层量子井(MQWS)作包覆并延伸至少到N型氮化镓层(N-GaN)，并在绝缘层的两旁各设以复数个透孔，作为与P型氮化镓层(P-GaN)形成P接触电极，与N型氮化镓层(N-GaN)形成N接触电极；使该矩形延伸的发光元件能提高其发光面积，及提升其散热效果，并使晶片的切割达到最佳的利用效能

主权项

一种发光元件其制作方法，是采在：位于基板上方结合的N型氮化镓层(N-GaN)是为藉蚀刻方式以形成一倾斜而上的两旁层面，并在N型氮化镓层(N-GaN)的预设段落依序结合以略倾斜而上的U型氮化镓层、多层量子井(MQWS)、P型氮化镓层(P-GaN)、与透明导电层及反射层，之后，在沿着透明导电层及反射层的作用层面、和P型氮化镓层(P-GaN)与多层量子井(MQWS)的两旁并延伸至N型氮化镓层(N-GaN)与基板的交界处为覆设一预设厚度的绝缘层，使该绝缘层能藉N型氮化镓层(N-GaN)形成的两旁倾斜而上该层面而获以覆设力足够、易达到所须的厚度，在该绝缘层的两旁预设部位为各预留复数透孔，及利用铬(Cr)、铝(Al)等材料导通N电极和P电极，其中该N电极与该P电极为同一层且同侧排列，而透孔数量的多寡以用来调整电流；做为复续加工点胶、支架用，及N电极在经相应透孔以和N型氮化镓层(N-GaN)形成一N接触电极，而P电极在经相应透孔以透明导电层及反射层、P型氮化镓层(P-GaN)形成一P接触电极，而藉N型氮化镓层(N-GaN)与P型氮化镓层(P-GaN)在和多层量子井(MQWS)的接触电导通后，以将多层量子井(MQWS)产生的光经由反射层之反射，藉由折射原理透过四面八方由各处发射而出。