| 发明名称 | 张应力LPCVD SiO<sub>2</sub>膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种张应力LPCVD SiO<sub>2</sub>膜的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO<sub>2</sub>膜，F1＜0；对压应力SiO<sub>2</sub>膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO<sub>2</sub>膜退火使得压应力SiO<sub>2</sub>膜转变为应力为F2的张应力SiO<sub>2</sub>膜，F2＞0。依照本发明的LPCVD张应力SiO<sub>2</sub>膜制备工艺，其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容，不但实现双材料悬臂梁的应力匹配，而且明显增强SiO<sub>2</sub>的抗XeF<sub>2</sub>腐蚀能力，最终使采用Al和SiO<sub>2</sub>双材料的、应力匹配的悬臂梁制作成功实现。 | ||
| 申请公布号 | CN103183307B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201110448748.4 | 申请日期 | 2011.12.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种张应力LPCVD SiO<sub>2</sub>膜的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO<sub>2</sub>膜，F1<0；对压应力SiO<sub>2</sub>膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO<sub>2</sub>膜，去除压应力SiO<sub>2</sub>膜表面的硅悬键；退火使得压应力SiO<sub>2</sub>膜转变为应力为F2的张应力SiO<sub>2</sub>膜，F2>0。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||