| 主权项 |
一种半导体发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的有源层以及在所述有源层之下的第二导电半导体层；在所述发光结构之下的反射层，所述反射层包括具有第一折射率的第一介质和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二介质；在所述第一导电半导体层上形成的第一电极层；和在所述反射层之下的第二电极层，其中所述第二电极层电接触所述反射层和所述发光结构，其中所述第一导电半导体层包括其中设置有所述第一电极层的上表面，同时在所述第一导电半导体层的所述上表面的其他部分上形成粗糙结构，其中所述第二电极层包括导电支撑构件以支撑所述发光结构，其中所述第一导电半导体层包括AlGaN基半导体层和所述第二导电半导体层包括AlGaN基半导体层，其中所述反射层具有凹凸形状或多个岛形状，并形成于所述发光结构的所述第二导电半导体层的下表面之下，其中所述第一介质和所述第二介质交替堆叠，其中所述第二电极层包括在所述导电支撑构件上的欧姆层，所述欧姆层包括选自Pt、Ni、Au、Rh和Pd中的至少一种，其中所述欧姆层的凸部形成于所述反射层的岛之间，其中所述导电支撑构件的上部设置为围绕所述欧姆层的外侧，以免所述欧姆层暴露于所述半导体发光器件的侧壁，所述导电支撑构件的上部接触所述反射层。 |
