发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括:在衬底上形成第一掩蔽层;以第一掩蔽层为掩模,形成带应力的源区和漏区之一;在衬底上形成第二掩蔽层,并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个;去除第二掩蔽层的一部分,所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个;形成栅介质层,并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。 |
申请公布号 |
CN103515233B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201210210600.1 |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
朱慧珑;梁擎擎;钟汇才 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
倪斌 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底上形成第一掩蔽层;以第一掩蔽层为掩模,形成带应力的源区和漏区之一;在衬底上形成第二掩蔽层,并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个;去除第二掩蔽层的一部分,所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个;形成栅介质层,并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体,从而栅导体面向该侧壁的第一侧壁及其底面被栅介质层覆盖,而栅导体与第一侧壁相对的第二侧壁并未被栅介质层覆盖。 |
地址 |
100083 北京市朝阳区北土城西路3号 |