PROCEDE DE DOPAGE D'UN SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE GAN

摘要

Le procédé de dopage d'un semi-conducteur à base de GaN comporte une première étape consistant à prévoir un substrat (1) comprenant une couche en matériau semi-conducteur (1b) à base de GaN recouvert par un masque (3) à base de silicium. Le procédé comporte une deuxième étape d'implantation d'impuretés (2) dans le masque (3) de manière à transférer des impuretés dopantes supplémentaires (4) de type Si par diffusion depuis le masque (3) vers la couche en matériau semi-conducteur (1b). On réalise ensuite un traitement thermique configuré pour activer les impuretés dopantes (2) et les impuretés dopantes supplémentaires (4).