| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成复合层，所述复合层包括交错重叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层，且所述复合层的顶层和底层均为绝缘层；在所述复合层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分复合层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀部分所述复合层，在所述复合层内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁表面形成保护层；以所述掩膜层和保护层为掩膜，刻蚀所述第一开口底部，在所述第一开口底部形成第二开口；刻蚀所述第二开口的侧壁，使所述第二开口的牺牲层侧壁顶部与所述第一开口的牺牲层侧壁顶部齐平。所形成的半导体结构形貌良好、性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN105448841A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410432233.9 | 申请日期 | 2014.08.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成复合层，所述复合层包括交错重叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层，且所述复合层的顶层和底层均为绝缘层；在所述复合层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分复合层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀部分所述复合层，在所述复合层内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁表面形成保护层；以所述掩膜层和保护层为掩膜，刻蚀所述第一开口底部，在所述第一开口底部形成第二开口；刻蚀所述第二开口的侧壁，使所述第二开口的牺牲层侧壁顶部与所述第一开口的牺牲层侧壁顶部齐平。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||