| 发明名称 | 一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的Au纳米颗粒修饰SiC纳米线的制备方法，包括如下步骤：a、前置处理：前躯体预处理、基体预处理；b、纳米线制备：预处理后的前躯体和预处理后的基体共同置于烧结氛围下，在保护气氛下，前躯体热解，再降温在预处理后的基体上生长纳米线；c、纳米线修饰：在纳米线上形成Au纳米颗粒，Au纳米颗粒的尺寸为1-10nm。本发明制备工艺简单，操作方便，与现有技术相比较有较低的能耗，制备的纳米线具有较好的场发射能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105428184A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201510749621.4 | 申请日期 | 2015.11.06 |
| 申请人 | 宁波工程学院 | 发明人 | 杨为佑;陈强;陈善亮 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人 | 张向飞 |
| 主权项 | 一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：a、前置处理：前躯体预处理、基体预处理；b、纳米线制备：预处理后的前躯体和预处理后的基体共同置于烧结氛围下，在保护气氛下，前躯体热解，再降温在预处理后的基体上生长纳米线；c、纳米线修饰：在纳米线上形成Au纳米颗粒，Au纳米颗粒的尺寸为1‑10nm。 | ||
| 地址 | 315000 浙江省宁波市海曙区翠柏路89号 | ||