| 发明名称 |
GALLIUM NITRIDE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A VERTICAL STRUCTURE |
| 摘要 |
반도체 디바이스가 제1 면 및 제2 면을 갖는 기판, 및 기판의 제1 면 위에 배치되는 제1 활성 층을 포함한다. 제2 활성 층이 제1 활성 층 상에 배치된다. 제2 활성 층은 제1 활성 층과 제2 활성 층 사이에 2차원 전자 기체 층이 생기도록 제1 활성 층보다 더 높은 밴드갭을 갖는다. 적어도 하나의 트렌치가 제1 활성 층 및 제2 활성 층과 2차원 전자 기체 층을 통과해서 기판 내로 연장된다. 전도성 재료가 트렌치를 라이닝한다. 제1 전극이 제2 활성 층 상에 배치되고 제2 전극이 기판의 제2 면 상에 배치된다. |
| 申请公布号 |
KR20160030254(A) |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
KR20167003192 |
申请日期 |
2014.06.18 |
| 申请人 |
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC |
发明人 |
CHEN MAX SK;LIN YIH YIN |
| 分类号 |
H01L29/778;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/66;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L29/778 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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