| 发明名称 |
半导体基板、半导体装置及半导体基板之制造方法 |
| 摘要 |
明系于单一矽基板上使种类相异的半导体结晶层磊晶成长的情况中，提高表面的平坦性，提高半导体装置的可靠性。本发明系提供一种半导体基板，其具备：表面具有形成有第一凹部及第二凹部之矽结晶之基底基板；形成于第一凹部的内部且露出之第一IVB族半导体结晶；形成于第二凹部的内部之第二IVB族半导体结晶；以及形成于第二凹部的内部之第二IVB族半导体结晶上，且呈露出状态之III-V族化合物半导体结晶。 |
| 申请公布号 |
TWI525810 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
| 申请号 |
TW099142040 |
申请日期 |
2010.12.02 |
| 申请人 |
住友化学股份有限公司 |
发明人 |
山中贞则;高田朋幸;秦雅彦 |
| 分类号 |
H01L29/02(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种半导体基板，具备：表面具有形成有第一凹部及第二凹部之矽结晶之基底基板；形成于前述第一凹部的内部且呈露出状态之第一IVB族半导体结晶；形成于前述第二凹部的内部之第二IVB族半导体结晶；以及形成于前述第二凹部的内部之前述第二IVB族半导体结晶上，且呈露出状态之III-V族化合物半导体结晶。 |
| 地址 |
日本 |
