动态随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种动态随机存取存储器，包含多个晶体管，位于一半导体基材中，其中每一晶体管各自包含一垂直通道区；多个含位线的沟槽，位于此半导体基材中，其中每一位线含位线的沟槽包含两位线，且每一位线各自与其最邻近的晶体管电连接，且其中每一多个含位线的沟槽的两侧壁上各自具有一接触元件；以及多条字线，位于这些位线上方，电连接这些晶体管。此外，本发明亦提供关于上述动态随机存取存储器的制造方法。

主权项

一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：多个晶体管，位于一半导体基材中，其中每一晶体管各自包含一垂直通道区；多个含位线的沟槽，位于所述半导体基材中，其中每一所述含位线的沟槽包含两位线，且每一位线各自与其最邻近的晶体管电连接，且其中每一所述多个含位线的沟槽的两侧壁上各自具有一接触元件，其中所述接触元件覆盖含位线的沟槽的两侧壁的暴露部分上；以及多条字线，位于所述位线上方，电连接所述晶体管，其中每一含位线的沟槽中的两位线由一覆盖氧化层相互隔离，且所述覆盖氧化层延伸至所述位线下方的部分的一绝缘层中，其中相邻的两个含有两位线的沟槽，与相邻两个含有两字线的沟槽之间夹设的区域，为所述晶体管之一者的主动区。