发明名称 |
用于薄膜太阳能电池形成之矽墨水、对应方法及太阳能电池结构 |
摘要 |
明系关于使用高品质矽墨水来形成具有p-n接面之薄膜太阳能电池内之多晶层。使用该等墨水沈积之粒子可经烧结形成矽膜,其可为本质膜或掺杂膜。如对若初始具有较大浓度,则经稀释至0.4重量百分比之墨水样品进行动态光散射所测定,矽墨水之z平均二次粒度可不超过约250 nm。在一些实施例中,本质层可为非晶矽部分与结晶矽部分之复合物。 |
申请公布号 |
TWI523246 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
申请号 |
TW099132095 |
申请日期 |
2010.09.21 |
申请人 |
纳克公司 |
发明人 |
刘国钧;莫利斯 克里佛M;艾尔特门 伊果;席林尼瓦珊 乌玛;奇鲁凡鲁 西库马 |
分类号 |
H01L31/0392(2006.01);H01L31/036(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/0392(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种形成薄膜太阳能电池结构之方法,其包含:沈积一层包含元素矽粒子之墨水,其中对若初始具有较大浓度,则经稀释至0.4重量百分比之墨水样品进行动态光散射所测定,该墨水之z平均二次粒度不超过约250nm;烧结该等元素矽粒子形成多晶层;及沈积(藉由化学气相沈积)一与该多晶层相邻之非晶元素矽层,其中该多晶层与非晶元素矽层系为p-n接面二极体结构之元件,且该p-n接面二极体结构包含p掺杂元素矽层及n掺杂元素矽层,且其中该多晶层系为本质且该非晶元素矽层系为本质,或该多晶层包含p型掺杂物且该非晶元素矽层包含p型掺杂物,或该多晶层包含n型掺杂物且该非晶元素矽层包含n型掺杂物。
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地址 |
美国 |