| 发明名称 | 一种高介电常数界面层的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高介电常数界面层的制备方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并利用H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的混合溶液对硅基衬底进行清洗；步骤S2：采用RCA清洗法对硅基衬底进行清洗；步骤S3：采用HF溶液对硅基衬底进行清洗；步骤S4：采用热氧化法生长SiO<sub>2</sub>/SiON过渡层；步骤S5：采用SC1化学溶液清洗工艺清洗SiO<sub>2</sub>/SiON过渡层；步骤S6：在经过SC1化学溶液清洗之SiO<sub>2</sub>/SiON过渡层上淀积高介电常数栅介质层。通过本发明的制备方法所获得的高介电常数界面层，可以有效降低高介电常数界面层的界面态密度，并且提高随后生长的铪基栅介质层的性质，进而改善器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105336596A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201510624053.5 | 申请日期 | 2015.09.27 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 温振平;肖天金;邱裕明 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种高介电常数界面层的制备方法，其特征在于，所述高介电常数界面层的制备方法，包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并利用H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的混合溶液对所述硅基衬底进行清洗；执行步骤S2：采用RCA清洗法对所述硅基衬底进行清洗；执行步骤S3：采用HF溶液对所述硅基衬底进行清洗；执行步骤S4：采用热氧化法生长SiO<sub>2</sub>/SiON过渡层；执行步骤S5：采用SC1(NH<sub>4</sub>OH/H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>/H<sub>2</sub>O)化学溶液清洗工艺清洗所述SiO<sub>2</sub>/SiON过渡层；执行步骤S6：在经过SC1化学溶液清洗之SiO<sub>2</sub>/SiON过渡层上淀积高介电常数栅介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||