| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部；对所述栅极结构两侧的鳍部进行无损伤扩散掺杂处理，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成掺杂层。上述方法可以避免在形成掺杂层的过程中，对鳍部造成损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN105336613A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410307265.6 | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成鳍部； 在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁； 在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部； 对所述栅极结构两侧的鳍部进行无损伤扩散掺杂处理，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成掺杂层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||