发明名称 |
一种提高双能辐射系统材料识别能力的方法及系统 |
摘要 |
本发明公开了一种提高双能辐射系统材料识别能力的方法,包括:步骤一,确定被检测材料的原子序数和厚度;步骤二,基于被检测材料的原子序数和厚度计算脉冲数量比(或剂量比);步骤三,将双能辐射系统的脉冲数量比(或剂量比)调节为计算好的比例。本发明还公开了一种双能辐射系统。利用本发明可以快速地获得双能辐射系统的最佳材料识别状态,在此状态下进行扫描检查,双能系统的材料识别能力具有大幅提高。 |
申请公布号 |
CN105277578A |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201410252245.3 |
申请日期 |
2014.06.09 |
申请人 |
北京君和信达科技有限公司 |
发明人 |
王少锋;李苏祺;郑建斌;张丹;曹艳锋 |
分类号 |
G01N23/087(2006.01)I;G01V5/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N23/087(2006.01)I |
代理机构 |
北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 |
代理人 |
黄泽雄;金玺 |
主权项 |
一种提高双能辐射系统材料识别能力的方法,其特征在于,包括:步骤一,确定被检测材料的原子序数和厚度;步骤二,基于所述原子序数和所述厚度,按照以下公式计算脉冲数量比;<img file="FDA0000517651290000011.GIF" wi="999" he="163" />其中,下角标1、2分别代表高能脉冲辐射和低能脉冲辐射对应的数据,I为无材料遮挡时射线脉冲辐射的剂量,t为材料的厚度,Z为材料的原子序数,μ(t,z)为材料的衰减系数;步骤三,将双能辐射系统的脉冲数量比调节为按照所述公式计算得到的脉冲数量比。 |
地址 |
100011 北京市西城区黄寺大街26号院4号楼308(德胜园区) |