整合被动元件的半导体装置

摘要

本发明提供一种整合被动元件的半导体装置，应用于模拟电路中，是利用穿孔技术，制作出电容、电阻及电感的被动元件。至少一被动元件设于基板中，被动元件包含依序层叠的第一导电层、第一介电层及第二导电层，且第一导电层与第二导电层之间是通过第一介电层以产生一等效元件，至少一半导体集成电路设于基板上，是通过第一导电层及第二导电层电性连接，据以形成双向信号导通路径。被动元件可设于基板的背面，以解决被动元件占据了有限的基板面积的问题。

主权项

一种整合被动元件的半导体装置，其特征在于，应用于模拟电路中，所述半导体装置包括：一基板；至少一被动元件，设于所述基板中，所述被动元件为板状被动元件或柱状被动元件，所述被动元件包含：一第一导电层，设于所述基板中；一第一介电层，设于所述第一导电层上；及一第二导电层，设于所述第一介电层上，所述第一导电层与所述第二导电层之间是通过所述第一介电层以产生一等效元件；及至少一半导体集成电路，设于所述基板上，所述半导体集成电路是通过所述第一导电层及所述第二导电层电性连接，据以形成双向信号导通路径，其中，当所述被动元件为柱状被动元件时，所述柱状被动元件包含由内向外环设的所述第一导电层、所述第一介电层及所述第二导电层，所述第一导电层及所述第二导电层为环形导电层，所述第一介电层是形成对应所述环形导电层的形状，所述基板的正面设有至少一第一环形孔洞，所述半导体集成电路是设于所述基板的正面，所述柱状被动元件设于所述第一环形孔洞内，所述第一导电层及所述第二导电层分别利用一第一导线及一第二导线电性连接至所述半导体集成电路，所述第一环形孔洞，其内环设一第二介电层，位于所述基板与所述第一导电层之间，据以产生一第一寄生电容，所述基板与所述第二导电层之间环设一第三介电层，据以产生一第二寄生电容。