发明名称 Transistor using myelin layer as gate insulator
摘要 트랜지스터가 개시된다. 개시된 트랜지스터는 게이트; 상기 게이트와 인접 배치되며, 미엘린 막을 포함하여 이루어진 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막에 의해 상기 게이트와 이격되는 채널층; 상기 채널층의 양측에 각각 접촉 형성된 소스 및 드레인;을 포함한다.
申请公布号 KR101587550(B1) 申请公布日期 2016.01.22
申请号 KR20090101733 申请日期 2009.10.26
申请人 삼성전자주식회사 发明人 권영남;김도환;한혁수;허성;정지심;최윤혁
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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