| 摘要 |
光電変換装置（１０）は、ｐ型半導体層（３１）、ｉ型半導体層（３２）およびｎ型半導体層（３３）を順次積層した光電変換層（３）を備える。ｐ型半導体層（３１）は、ｐ型シリコン薄膜（３１１〜３１３）からなる。ｐ型シリコン薄膜（３１１，３１２）は、プラズマ励起電力として１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚの高周波電力に１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの低周波パルス電力を重畳したパルス電力を用い、高周波電力の密度が１００〜３００ｍＷ／ｃｍ２であり、プラズマ処理中の圧力が３００〜６００Ｐａであり、プラズマ処理時の基板温度が１４０〜１９０℃である条件を用いて、ｐ型導電型を有するシリコン薄膜を堆積するとともにシリコン薄膜を窒化して形成される。また、ｐ型シリコン薄膜（３１３）は、上記条件を用いて堆積される。 |
