| 发明名称 | 一种石墨烯薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一铜箔；S2：对所述铜箔表面进行电化学刻蚀；S3：采用化学气相沉积法在所述铜箔表面生长石墨烯薄膜。本发明的石墨烯薄膜的制备方法针对现有方法进行改进，通过在金属铜箔表面进行电化学刻蚀，形成多层石墨烯的成核核心，再用化学气相沉积法就可以在铜箔表面生长出2~3层的石墨烯薄膜。本发明可以大面积生长层数可控的多层石墨烯薄膜，对石墨烯的实用化具有重要意义。 | ||
| 申请公布号 | CN105220214A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510778938.0 | 申请日期 | 2015.11.13 |
| 申请人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明人 | 王聪;方小红;陈小源;蔡伟 |
| 分类号 | C25F3/02(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I | 主分类号 | C25F3/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一铜箔；S2：对所述铜箔表面进行电化学刻蚀；S3：采用化学气相沉积法在所述铜箔表面生长石墨烯薄膜。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区海科路99号 | ||