金属层-绝缘层-金属层电容器及其制作方法

摘要

本发明提供一种金属层-绝缘层-金属层电容器的制作方法，适于应用于集成电路的片内电容，包括：提供第一金属层，提供位于第一金属层表面的第一介质层，定义电容区域；刻蚀电容区域的第一介质层形成若干通孔或沟槽，暴露出第一金属层表面；于第一介质层表面、通孔或沟槽的侧壁以及暴露出的第一金属层表面依次形成电容下极板、电容介质层、电容上极板；于通孔或沟槽中填充形成导电塞层；于第一介质层上形成第二金属层。本发明通过采用立体结构的MIM电容器，增加了电容上、下极板相对应的有效电极面积，提高了电容密度，可在有限的芯片面积上实现较大的电容值，满足了LCD驱动电路、RFCMOS电路等大电容集成电路的需求，适于应用于集成电路的片内电容。

主权项

一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器的制作方法，适于应用于集成电路的片内电容，其特征在于，包括如下步骤：提供第一金属层，提供位于第一金属层表面的第一介质层，定义电容区域；刻蚀电容区域的第一介质层形成若干通孔或沟槽，暴露出第一金属层表面；于所述第一介质层表面、通孔或沟槽的侧壁以及暴露出的第一金属层表面依次形成电容下极板、电容介质层、电容上极板；于所述通孔或沟槽中填充形成导电塞层；于所述第一介质层上形成第二金属层。